Yarimo'tkazgich sohasida olmosning kelajakdagi rivojlanishi odatda "birinchi navbatda issiqlik tarqalishi, keyin qurilma yutuqlari" gradient tendentsiyasiga mos keladi. Qisqa muddatda yuqori{1}}qiymat o‘sishi sun’iy intellekt chiplarining issiqlik tarqalishiga qaratilgan bo‘lsa, o‘rta- va uzoq{3}}muddatli maqsad esa olmos quvvatli yarimo‘tkazgichlarni sanoatlashtirishdir. Muayyan rivojlanish yo'nalishlari quyidagilardan iborat:
1. Qisqa{1}}muddatli (1-5 yil): AI chiplarining issiqlik tarqalishi sanoatlashtirishni tezlashtiradigan portlovchi o'sishni ko'rsatadi.
Katta sunʼiy intellekt modellari uchun hisoblash quvvatiga boʻlgan talabning oshishi bilan bir{0}}chip quvvat isteʼmoli 1400 Vt dan oshdi va bu anʼanaviy issiqlik tarqalish materiallarini jismoniy chegaralariga olib keldi. Olmos issiqlik tarqalishi hozirda butun ta'minot zanjiri bo'ylab issiqlik tarqalishi ehtiyojlarini qondira oladigan yagona echimdir.
Bozor hajmi tezda kengayadi. Global olmos issiqlik tarqalishi bozori 2030 yilga borib 15,2 milliard dollarga yetishi kutilmoqda, bunda penetratsiya tezligi tez sur'atlar bilan o'sib boradi, asta-sekin harbiy va aerokosmikdan tijorat AI GPU'lari, ma'lumotlar markazlari va yuqori-maishiy elektronikagacha kengayib boradi. Xitoyning mahalliy kompaniyalari talabning o'sishini qondirish uchun allaqachon ishlab chiqarishni kengaytirishga kirishgan. 2026-yilda yuqori oqim sinovlari hajmi yiliga-5 baravardan koʻproq oshishi kutilmoqda-va yetakchi ishlab chiqaruvchilar allaqachon yangi zavodlarni ishlab chiqarishga kirishishni rejalashtirgan.
Texnologik yoʻnalish kattaroq substratlarga takomillashtirilmoqda va -xarajatlari pastroq sintez. 8-dyuymli olmosli issiqlik qabul qiluvchilar 2027 yilga kelib ommaviy ishlab chiqarishga erishishi kutilmoqda, bu esa ilgʻor qadoqlashning issiqlik tarqalishi talablariga javob berish uchun xarajatlar asta-sekin kamayib boradi. Olmos/metall kompozit materiallar texnologiyasi etuk, aniq boshqariladigan termal kengayish koeffitsientlari va kremniy chiplari bilan mukammal muvofiqligi bilan asta-sekin yuqori{4}}yuqori quvvatli chiplar uchun standart konfiguratsiyaga aylanadi.
2. Oʻrta{1}}(5-10 yil): olmos quvvatli yarim oʻtkazgichlar asta-sekin sotuvga chiqariladi va yuqori darajadagi sohalarda yutuqlarga erishadi.
To'rtinchi avlod yarimo'tkazgichlar uchun asosiy material sifatida olmos yuqori texnologik to'siqlarga ega, ammo uning ishlash afzalliklari juda sezilarli:
Yuqori kuchlanish va ekstremal muhit stsenariylarida birinchi boʻlib tijoratlashtirishga erishish uchun: Yangi energiya vositalarining 800V+ yuqori-voltajli platformalari, aerokosmik elektronika va sunʼiy yoʻldosh aloqalari qurilmalarning kuchlanish va issiqlik tarqalishiga bardosh berishi uchun juda yuqori talablarga ega va narxga nisbatan sezgir emas. Bu olmosli quvvat qurilmalari uchun birinchi dastur stsenariylari bo'lib, butun avtomobilning quvvatni konvertatsiya qilish samaradorligini to'g'ridan-to'g'ri yaxshilaydi va issiqlik tarqalish tizimining hajmi va og'irligini kamaytiradi.
Texnologik qiyinchiliklardagi yutuqlar davom etmoqda: n{0}}doping va yirik-oʻlchamdagi monokristal tayyorlashning asosiy qiyinchiliklari asta-sekin yengib chiqilmoqda. Yaponiya 2025-2030 yillar oralig‘ida olmosli quvvat qurilmalarining birinchi partiyasini tijoratlashtirishi kutilmoqda. Mening mamlakatim asosiy texnologiyalarni tadqiq etish va ishlab chiqishni ham doimiy ravishda olg‘a surmoqda va xona haroratidagi teshiklarning harakatchanligi 1650 sm²/(V·s)ga erishib, yuqori unumdorlikka ega qurilmalar uchun poydevor qo‘ydi.
